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齋藤 寛之; 内海 渉; 金子 洋*; 青木 勝敏
Japanese Journal of Applied Physics, Part 2, 43(7B), p.L981 - L983, 2004/07
被引用回数:5 パーセンタイル:23.97(Physics, Applied)バルクのAlGaN半導体合金をすべての組成領域にわたり高温高圧下で固相反応によって合成した。その場X線回折実験により6GPa, 800Cの条件で合金化が開始することを観察した。回収試料のSEM観察及び粉末X線回折実験から、Ga原子とAl原子の均一な分布と、組成に対する格子定数の連続的な変化を確認したが、これはAlNとGaNの固溶体が任意組成で形成されていることを示している。